先进光刻技术的发展历程与最新进展

摘要：

光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术,其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3 μm缩小到先进的10～15 nm.在发展过程中,众多先进的技术不断涌现,如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型光刻胶、光学邻近效应修正等,及时确保了摩尔法则按时向前推进.以投影光刻发展的历史为主线,从0.25 pm到当今的5 nm再到未来的先进技术节点,对每个关键的技术节点的工艺要求与工艺窗口进行分析,包括采用的新技术及其作用,以展示光刻工艺与相关技术的整体面貌,给读者专业技术的参考.

关键词：光刻、光刻工艺、光刻机、光刻胶、掩模版

所属期刊栏目：59

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：复旦大学引进人才科研启动项目;复旦大学引进人才科研启动项目

在线出版日期：2022-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：76-92