半导体激光加工中光学元件吸热对设备聚焦位置的影响
介绍了激光射线在吸收介质中的衰减模型,通过射线功率、透镜表面温度分布、热力学性质、沉积功率、透镜折射率变化等仿真计算,分析了半导体加工过程中由光学元件吸热导致的透镜聚焦径向位置变化,通过仿真计算得出输出功率为20W的紫外激光精细加工设备的径向聚焦位置偏移为14 μm,并且通过激光加工实验、激光共聚焦显微镜观测、台阶仪测量等方式验证了仿真分析结果,对激光加工在半导体行业中容易忽视的问题进行了比较全面的分析论证.
激光光学、紫外激光、光学元件、聚焦位置、半导体
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O437(光学)
山西省重点研发计划项目;山西省自然科学基金;中央引导地方科技发展资金;高等学校科技创新项目
2022-03-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
292-299