热释光谱用于长余辉材料陷阱分布分析的研究进展

摘要：

长余辉发光材料的余辉性能取决于材料内部的陷阱能级,利用不同深度的陷阱对电子或空穴的捕获能力差别,可实现对余辉的调制.热释光对半导体中杂质和晶格缺陷所形成的局域能级非常敏感,是长余辉材料陷阱分布分析中一种有力的工具.通过测量长余辉发光材料的热释光谱,并采用合适的光谱曲线分析方法可以量化分析长余辉发光材料中的陷阱能级的深度和浓度分布等参数.但目前还缺乏一种公认的标准方法来衡量陷阱的深度和浓度等性质.在介绍热释光和热释曲线测定基本原理的基础上,回顾分析了不同动力学模型的峰形特点和适用条件,总结热释曲线的分析方法以及它们在分析长余辉材料陷阱中的应用,重点介绍初始上升法的应用和研究进展.

关键词：材料、长余辉材料、陷阱分布、热释发光

所属期刊栏目：58

分类号：O433(光学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;浙江省自然科学基金重点项目

在线出版日期：2021-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：72-83