侧壁粗化GaN基倒装芯片光提取效率的模拟分析

摘要：

针对由激光隐形切割技术导致的蓝宝石衬底侧壁粗化对GaN基发光二极管(LED)倒装芯片光提取效率(LEE)的影响,提出一种蒙特卡罗光线追踪的方法.使用蒙特卡罗光线追踪法具体分析侧壁隐形切割对LED倒装芯片各出光面LEE的影响,并对LED倒装芯片蓝宝石侧壁隐形切割的层数和位置进行优化设计.仿真结果表明,随着蓝宝石侧壁隐形切割层数的增多,以及蓝宝石侧壁等效粗糙度的提升,LED倒装芯片顶部出光面的LEE缓慢减少,而侧壁和LED倒装芯片总的LEE逐渐增加.采用蒙特卡罗光线追踪法模拟均匀激光打点与组合激光打点对LED倒装芯片LEE的影响.实验结果表明,当隐形切割层数固定时,均匀激光打点的侧壁和总的LEE均高于组合激光打点.

关键词：光学器件、发光二极管、激光隐切、侧壁粗化、光提取效率

所属期刊栏目：58

分类号：O472+.8(半导体物理学)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0404202

在线出版日期：2021-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：323-328