异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构的设计及分析

摘要：

设计了一种应用于毫米波开关及限幅器的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管材料结构,接着对影响二极管性能的两个主要因素(Al掺杂量和I层厚度)进行分析和优化,然后采用分子束外延与半导体工艺流片制备出了验证器件.对该器件进行测试,测试结果表明,所制备的PIN二极管的开启电压为1.06 V,击穿电压为26 V;在1～40 GHz频率范围内,该二极管的插入损耗为1 dB左右,隔离度为12 dB(频率为30 GHz时).所制备二极管可应用于毫米波开关和限幅器电路中.

关键词：材料、PIN二极管、异质结、Ⅰ-Ⅴ特性、S参数

所属期刊栏目：57

分类号：TN312+.4(半导体技术)

资助基金：中国科学院科技服务网络计划项目（STS）

在线出版日期：2021-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：262-267