基于无掩模光刻的高精度ITO电极湿法刻蚀工艺研究

摘要：

氧化铟锡(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、耐高温等优点,在光电领域具有重要应用.现有加工方法得到的ITO电极尺寸一般为10～200 μm,这限制了ITO电极在微纳领域的应用,为解决此限制,在传统湿法刻蚀方法的基础上,利用无掩模光刻技术对ITO玻璃表面光刻胶进行高精度曝光,再通过优化曝光、显影及刻蚀等过程,最终加工出尺寸仅为2μm的电极.所提方法所加工的电极具有线性度高、无钻蚀、误差小等优点,为ITO电极在微纳领域应用开发提供了有现实意义的参考.

关键词：光学设计、ITO电极、湿法刻蚀、无掩模光刻、高精度

所属期刊栏目：57

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项3132019189

在线出版日期：2020-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：210-216