多变量离子注入型量子阱混杂效应

摘要：

为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究.在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征.实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×1014 ion/cm2,注入能量为600 keV,750℃二次退火150 s时获得最大蓝移量116 nm.研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础.

关键词：激光器、量子阱混杂、离子注入、波长蓝移、光致发光谱

所属期刊栏目：57

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：江西省自然科学基金;江苏省重点研发计划产业前瞻与共性关键技术资助项目

在线出版日期：2020-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：168-174