基于高迁移率透明导电氧化物的高速、低插入损耗硅基光波导移相器研究

摘要：

硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分.透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一代高速、低插入损耗且兼容CMOS的硅基光波导移相器中.TCO较高的光吸收系数限制了其在移相器中的应用.提出了一种基于高迁移率的透明导电氧化物的低插入损耗硅基光波导移相器,并证明了TCO材料迁移率与其损耗密切相关.通过理论计算和数值仿真,设计了一种基于高迁移率氧化镉(CdO)材料(μ=300 cm2·V-1·s-1)的硅基光波导移相器.所得器件在1550 nm波长实现π相移时,器件长度为127 μm,插入损耗为1.4 dB,调制带宽可达到300 GHz.为发展高速硅基光波导移相器件提供了新思路.

关键词：光学器件、移相器、电光效应、透明导电氧化物

所属期刊栏目：56

分类号：O436(光学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;科技部重点研发计划

在线出版日期：2019-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：188-196