AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径

摘要：

目前,发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10％.一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁(TM)模式的偏振光,这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提取效率(LEE);另一方面,受限于现阶段AlGaN材料的外延生长水平,DUV LEDs器件的晶体质量普遍比较差,增加了有源区内非辐射复合率,造成DUV LEDs器件内量子效率(IQE)的衰减.除此之外,载流子注入效率也严重影响着DUV LEDs器件的IQE,尤其是空穴注入效率.为此,研究人员开展了大量的研究来提高空穴注入效率,从而改善DUV LEDs器件的EQE.着重总结探讨了近年来提高DUV LEDs器件空穴注入效率的诸多措施,深刻揭示了其中的物理机理,对改善DUV LEDs的器件性能具有重要的意义.

关键词：光学器件、AlGaN、深紫外发光二极管、外量子效率、空穴注入效率、光输出功率

所属期刊栏目：56

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;河北省自然科学基金;天津市自然科学基金;留学人员科技活动择优资助项目;河北省百人计划;河北省高等学校百名优秀创新人才支持计划

在线出版日期：2019-06-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共15页

页码：1-15