基底温度和离子源能量对薄膜应力的影响
在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜.测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试.结果表明,三种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO2、TiO2和Al2O3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1 MPa.
薄膜、基底温度、离子源能量、折射率、平均应力
55
TB43(工业通用技术与设备)
2017年科技创新服务能力建设-科研基地建设-重点实验室-光电子技术教育部重点实验室市级项目PXM2017_014204_500034
2018-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
452-458