P掺杂对二维SiC光电特性调制的机理

摘要：

基于第一性原理,对不同P原子掺杂浓度的二维SiC的几何结构、电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:随着P掺杂浓度的增加,P掺杂二维SiC的晶格常数变小,带隙减小;价带主要由C-2p,Si-3p和P-3p态电子杂化构成,导带主要由Si-3p态电子构成.P削弱了C—Si键的共价性,增加了离子性.P掺杂扩大了二维SiC的光吸收范围,吸收系数和折射率随掺杂浓度的增加而增大,表明P掺杂能有效提高二维SiC对可见光和红外光的吸收.

关键词：材料、二维SiC、P掺杂、光电特性、第一性原理

所属期刊栏目：55

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：贵州省科学技术基金黔科合J字”2015”2001;安顺学院博士基金Asxybsjj201503;安顺学院创新人才团队2015PT02

在线出版日期：2018-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：349-357