纳米图形增强OLED出光效率研究
采用纳米结构是提高有机发光二极管(OLED)出光效率(LEE)的主要方法之一.当纳米结构位于有机层和氧化铟锡(ITO)阳极之间时,可以起到引导模式的重叠、增强散射、提高OLED出光效率的目的.采用金薄膜退火和湿法刻蚀技术在ITO玻璃片上制备随机分布的纳米图形用于橙光OLED器件,研究了纳米图形对器件发光性能的影响因素,同时制作了无纳米图形的标准OLED器件作为对比.实验结果表明,当金薄膜厚度为10 nm,退火温度为570℃,退火时间为240 s,刻蚀深度为30 nm时,与无纳米图形的OLED相比,有纳米图形的OLED的亮度提高17%,电流效率提高34%,功率效率提高32%,外量子效率提高35%,证明纳米图形可以显著地提高OLED器件的出光效率.
光学器件、有机发光二极管、出光效率、纳米图形、金纳米颗粒
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TN383+.1(半导体技术)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;吉林省科技厅项目;吉林省科技厅项目;吉林省科技厅项目;吉林省教育厅项目;吉林省博士后科研项目
2018-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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