PECVD法制备SiO2薄膜致密性的特性

摘要：

应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2薄膜,并用折射率来表征致密性.研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N2 O/SiH 4流量比的关系.通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率,用聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)测量了表面微结构.利用能量弥散X射线(EDX)分析薄膜中Si、O、N元素含量随工艺参数变化对致密性的影响.进行多因子实验设计(DOE),得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件,并研究了SiO2薄膜致密性随工艺条件变化的机理.

关键词：薄膜、等离子体增强化学气相淀积、SiO2、致密性

所属期刊栏目：53

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2017-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：270-275