提高有机发光二极管发光性能的阳极修饰方法
通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响.制备了ITO/m-MTDATA(d nm)/NPB(40-d nm)/Alq3 (70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40nm)、ITO/ MoO3 (15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3 (70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)结构的器件,研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响.实验发现,当缓冲层的厚度为15 nm时,器件的启亮电压从未加缓冲层的13V降到了9V,最大发光亮度从未加缓冲层的5900 cd/m2增加到16300 cd/m2,是原来的2.76倍.最高的电流效率也由未加缓冲层的1.8 cd/A变为3.5 cd/A,是原来的1.94倍.然后在器件的氧化铟锡(ITO)与NPB之间插入了厚度为15 nm的MoO3缓冲层.与同厚度的m-MTDATA器件相比,插入MoO3缓冲层器件的启亮电压降低为8V,最大亮度为13320 cd/m2,最大电流密度为6030.74 A/m2,最大的电流效率为3.06 cd/A.
光学器件、有机发光二极管、缓冲层、发光亮度、电流效率
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TN383+.1(半导体技术)
国家自然科学基金61275147,61405085;山东省科技攻关计划2010GGX10127;山东省自然科学基金ZR2012AL11,ZR2013EML006;山东省“泰山学者”建设工程专项经费、聊城大学重点科研基金
2017-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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