半导体抽运Nd∶GdVO4主动调Q被动锁模激光器
报道了两种Nd:GdVO4主动调Q被动锁模激光器,利用自锁模(KLM)和半导体可饱和吸收耦合输出镜(SOC)锁模两种不同的被动锁模方式,分别与电光(EO)主动调Q元件相结合,获得了稳定的调Q锁模脉冲.主动调Q自锁模脉冲调Q包络重复频率为3 kHz,包络脉宽约1.2 μs,包络下锁模脉冲重复频率为159 MHz,锁模脉宽约963 ps.主动调Q SOC锁模脉冲调Q包络重复频率为10 kHz,包络脉宽约300 ns,包络下锁模脉冲重复频率为159 MHz,锁模脉宽约491 ps.分别提出了自锁模等效快饱和吸收体损耗和SOC的非线性损耗表达式,并给出了主动调Q自锁模激光器和主动调Q SOC锁模激光器的速率方程组.对比了两种主动调Q被动锁模激光器的输出特性,结合速率方程,提出了主动调Q SOC锁模受到两种锁模方式的叠加作用.
激光器、调Q锁模激光、电光调Q、自锁模、半导体可饱和吸收耦合输出镜
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TN248.1(光电子技术、激光技术)
2016-01-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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