单晶硅太阳电池防电势诱导衰减镀膜工艺分析

摘要：

电势诱导衰减(PID)能够导致光伏组件功率在较短时间内出现大幅衰退,而PID现象的产生主要和封装材料及太阳电池表面处理等方面有关.针对太阳电池片的镀膜工艺设计实验,测试并分析了正常工艺和防PID工艺制作的SiNx减反射膜厚度、折射率、反射率、镀膜前后的少子寿命以及单晶硅成品电池片的电学特性.结果表明,相比标准工艺,虽然防PID工艺制作的单晶硅太阳电池具有较好的钝化效果,但在整个光谱相应范围减反射效果较差是导致转化效率较低的主要原因.电致发光测试表明,防PID工艺并没有给单晶硅太阳电池带来额外的缺陷,但是防PID工艺制作的太阳电池在组件应用时却具有抵抗PID现象及防止金属离子对电池产生破坏的能力.

关键词：光电子学、电势诱导衰减、SiNx减反射膜、单晶硅太阳电池、转换效率

所属期刊栏目：52

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61106043

在线出版日期：2015-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：128-133