Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟

摘要：

设计了Si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响.当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2和3,Ge薄膜的厚度为0.46,μm,器件的台面面积小于176 μm2时,探测器在中心波长1.55μ,m处的外量子效率达到0.64,比普通结构提高了30倍,同时器件的带宽达到40 GHz.

关键词：光电子学、共振腔增强型、光电探测器、锗

所属期刊栏目：51

分类号：TN315(半导体技术)

资助基金：深圳市科技计划JCYJ20120821162230170

在线出版日期：2015-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：212-217