(111)应变对立方相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响

摘要：

采用第一性原理赝势平面波方法对(111)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对其能带结构、光学性质的影响.计算结果表明:在-8％～0％压应变范围内,随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙逐渐减小,但始终为直接带隙;在0％～2％张应变范围内,随着应变的增加,带隙逐渐增大,应变为2％时直接带隙达到最大Eg=0.60441 eV;当张应变为4％时,Ca2P025Si075变为间接带隙半导体.Ca2P0.25Si075的介电常数和折射率随着张应变的增加而增加;施加-2％～0％压应变时,介电常数和折射率逐渐减小,到达-2％时达到最小值,此后随着压应变的增加介电常数和折射率逐渐增大.施加压应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而减小,施加张应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而增大.应变可以改变立方相Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节其光电传输性能的有效手段.

关键词：材料、应变、光学性质、能带结构、第一性原理、Ca2P0.25Si0.75

所属期刊栏目：51

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;教育部科学技术研究项目;贵州省科技计划;贵州省优秀科技教育人才省长专项

在线出版日期：2014-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：162-168