InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究

摘要：

设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构.通过数值方法模拟出两种LED结构的光功率-电压(L-V)曲线、电致发光(EL)谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率.结果表明InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层的LED结构比替代p-GaN附近GaN垒层的LED显示出更高的发光强度.这种发光增强的原因是InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层可以提高电子注入效率和辐射复合速率.

关键词：InGaN/GaN、发光二极管、超晶格垒层、数值模拟

所属期刊栏目：51

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：江苏省自然科学基金11074280,BK2011436

在线出版日期：2014-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：167-170