InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构.通过数值方法模拟出两种LED结构的光功率-电压(L-V)曲线、电致发光(EL)谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率.结果表明InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层的LED结构比替代p-GaN附近GaN垒层的LED显示出更高的发光强度.这种发光增强的原因是InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层可以提高电子注入效率和辐射复合速率.
InGaN/GaN、发光二极管、超晶格垒层、数值模拟
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TN304.23(半导体技术)
江苏省自然科学基金11074280,BK2011436
2014-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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167-170