腔面非注入区技术在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用

摘要：

在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25 μm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值.常规条宽100 μm,含有19个发光单元的1 cm列阵激光器的COD阈值功率为30 W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效.

关键词：激光器、GaAs/AlGaAs、激光二极管列阵、腔面非注入区

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：北京市教委与在京中央高校共建项目、中国政法大学青年教师创新团队资助项目、证据科学教育部重点实验室中国政法大学开放基金2011KFKT04、2012KFKT08

在线出版日期：2013-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：142-144