腔面非注入区技术在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用
在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25 μm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值.常规条宽100 μm,含有19个发光单元的1 cm列阵激光器的COD阈值功率为30 W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效.
激光器、GaAs/AlGaAs、激光二极管列阵、腔面非注入区
TN248(光电子技术、激光技术)
北京市教委与在京中央高校共建项目、中国政法大学青年教师创新团队资助项目、证据科学教育部重点实验室中国政法大学开放基金2011KFKT04、2012KFKT08
2013-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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