弱P型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器

摘要：

窄禁带碲镉汞(HgCdTe)为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法区分迁移率较低性能较差的n型材料和p型材料.通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试区分.另外对由弱p型材料制备的陷阱模式光导器件的工作机理进行了初步分析,解释了这种器件相对于传统器件所表现出的独特优势.

关键词：探测器、霍尔测量、HgCdTe、磁输运、陷阱模式

所属期刊栏目：48

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：上海市自然科学基金10ZR1434500

在线出版日期：2011-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：13-16