小尺寸硅绝缘体光波导损耗测量
基于法布里-珀罗(F-P)腔理论建立了一种简单有效的硅绝缘体(SOI)光波导损耗测量方法.该方法采用端面耦合,通过测试波导反射功率谱并利用傅里叶频谱信息,完成波导损耗的测量.推导中指出了无法直接利用反射谱F-P峰峰谷值求解损耗的限制因素.应用该方法实现了对刻蚀深度为750 nm和宽度为1200 nm的SOI脊形波导损耗的测量,表明该测量方法能够对小尺寸、低损耗波导实现较高精度的损耗测量.
集成光学、法布里-珀罗腔技术、脊形波导、损耗测量、反射谱
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TN252(光电子技术、激光技术)
2011-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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