CMOS成像器件性能测试方法的研究

摘要：

针对CMOS成像器件结构的特殊性,发展并提出了"像元光子转移技术"法测量增益和读出噪声.同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究.最后基于2k×2k CMOS芯片进行了性能测试实验,实验结果也验证了该测试方法的可行性和可靠性.

关键词：CMOS成像器件、读出噪声、增益、量子效率、满阱电荷

所属期刊栏目：47

分类号：O436(光学)

资助基金：国家自然科学基金;北京市科技新星计划

在线出版日期：2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：69-74