提高LED外量子效率
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点.简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(IED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等.此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响.
发光二极管、外量子效率
TN312(半导体技术)
上海市科技发展基金PKJ2005-59
2008-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
61-67
点击收藏,不怕下次找不到~
发光二极管、外量子效率
TN312(半导体技术)
上海市科技发展基金PKJ2005-59
2008-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
61-67
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn