提高LED外量子效率

摘要：

提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点.简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(IED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等.此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响.

关键词：发光二极管、外量子效率

分类号：TN312(半导体技术)

资助基金：上海市科技发展基金PKJ2005-59

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：61-67