γ-LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展

摘要：

γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料.结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展.

关键词：GaN薄膜、γ-LiAlO2、非极性发光二极管

所属期刊栏目：43

分类号：O4(物理学)

资助基金：上海市浦江计划资助项目05PJ14100;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2007-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：36-41