GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究

摘要：

采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究.研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力.同时采用扫描电子显微镜(SEM)和电子微探针对n型Ge衬底上AuGeNi背电极不同层面的成分进行了分析测试,测试数据表明钨污染将会使银镀层结合力变差.

关键词：电镀银、GaAs/Ge、太阳电池、结合力

所属期刊栏目：41

分类号：TM91

在线出版日期：2005-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-33