InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化
利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)
体材料、最大厚度、增强因子、选择外延、生长条件、生长速率、扫描电子显微镜、选择性增强、扫描电镜观察、模斑转换器、压力、选择生长、速率上升、生长界面、流量、集成器件、表面形貌、激光器、掩模、宽度
TN2(光电子技术、激光技术)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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