GaAs的中红外频率转换
斯坦福大学的研究人员已证明在200 μm厚GaAs膜层上的准相位匹配频率转换，其目的是在波长大于4～5 μm的上限下加快铌酸锂和钽酸锂之类透明铁电材料的非线性频率转换。除利用GaAs在波长大于12 μm时的透明性外，研究人员还希望今后(主要是遥感应用方面)能从大GaAs非线性(超过90 pm/V)和材料的高热传导性与高破坏阈值中得益。 制作定向仿造材料是个多步骤过程，首先在两层GaAs间夹入一薄锗层。Loren Eyres认为成功制作的关键是必须计算出如何利用极性交错的分子束外延(MBE)方法，而不是复杂样品层的粘合来制造第一夹层。 GaAs与锗晶格匹配，或近于晶格匹配，而且锗无极性，所以能够在上层生长一层反相GaAs。如果正在生长GaAs，就可以保持注入它下面的物质。因此所需做的就是找到中度碱性的物质，可以把它们加入夹层间使锗更好地起作用。做好这一步需要大量尝试，也可能带来许多错误。从这一构思的初步理论到真正的论证成功约有四年。 经过第一个分子束外延步骤，再生后利用光刻技术在材料上制造定向模板。最后一步是获得200 μm厚的膜层，它具有很大的挑战性。关键是发现膜层生长过程，它能同时允许生长厚层，并在所有厚层范围内保持“垂直”保真度。这一步通过与汤姆逊的研究人员的协作取得成功，他们利用HPVE的方法生长厚的垂直膜层。 在把GaAs膜层从实验室用到实际的商业应用中主要考虑的是增加膜层的厚度。到目前为止所做出的是200 μm厚的膜层，而人们希望厚度是500 μm左右。在这点上应用很重要，那是铌酸锂用于实际的厚度。 在这项技术转化为应用产品前，还有更多的工作有待进一步发展。(以上由周申蕾供稿)
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TN2(光电子技术、激光技术)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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