基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化

摘要：

为提高单晶硅化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)的表面质量和抛光速度,通过响应面法优化CMP抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数,结果表明抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量对材料去除率和抛光后表面粗糙度的影响依次减小.通过数学模型和试验验证获得最优的工艺参数为:抛光压力,48.3kPa;抛光盘转速,70r/min;抛光液流量,65mL/min.在此工艺下,单晶硅CMP的材料去除率为1 058.2 nm/min,表面粗糙度为0.771 nm,其抛光速度和表面质量得到显著提高.

关键词：化学机械抛光、硅、响应面法、材料去除率、表面粗糙度

所属期刊栏目：42

分类号：TG58;TG73(金属切削加工及机床)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省自然科学基金

在线出版日期：2023-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：745-752