抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响

摘要：

氧化镓晶体具有高禁带宽度、耐高压、短吸收截止边等优点,是最具代表性的第四代半导体材料之一,具有广阔地应用前景.氧化镓晶体抛光过程易出现微裂纹、划痕等表面缺陷,难以实现高质量表面加工,无法满足相应器件的使用要求,且现有的氧化镓晶体抛光工艺复杂、效率低.固结磨料抛光技术具有磨粒分布及切深可控、磨粒利用率高等优点.采用固结磨料抛光氧化镓晶体,探究抛光垫基体硬度、磨料浓度和抛光液添加剂对被抛光材料去除率和表面质量的影响.结果表明:当抛光垫基体硬度适中为Ⅱ、金刚石磨粒浓度为100％、抛光液添加剂为草酸时,固结磨料抛光氧化镓晶体的材料去除率为68nm/min,表面粗糙度Sa为3.17nm.采用固结磨料抛光技术可以实现氧化镓晶体的高效高质量抛光.

关键词：固结磨料抛光、氧化镓晶体、材料去除率、表面粗糙度、固结磨料抛光垫

所属期刊栏目：42

分类号：TG58;TQ164(金属切削加工及机床)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省六大人才高峰高层次人才项目

在线出版日期：2023-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：720-727