砷化镓衬底加工技术研究及其新发展

摘要：

第二代半导体砷化镓(GaAs)材料是衬底外延生长和器件制备的基础材料,其晶片表面要求超光滑、无表面/亚表面损伤和低的残余应力等,且其表面平坦化质量决定了后续外延层的质量,并最终影响相关器件的性能.通过归纳分析砷化镓单晶材料的本征特性及其切割、磨边、研磨、抛光等技术的研究进展,对砷化镓超光滑平坦化加工技术未来的研究方向进行展望.

关键词：砷化镓、研磨、化学机械抛光、表面完整性、磨削

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.2;TG58(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金NSFC;U180120098

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：57-66