动态磁场集群磁流变抛光加工机理及试验研究

摘要：

基于动态磁场集群磁流变平面抛光的加工机理以及动态磁场作用机理,对单晶硅基片进行动态磁场集群磁流变抛光试验研究.结果表明:动态磁场能使畸变的抛光垫实时自修复,磨料具有频繁的动态行为,克服了静态磁场作用下抛光垫变形难恢复且磨料堆聚的缺点,使材料去除过程稳定,抛光效果较好;在动态磁场作用下,不同抛光方式的加工效果也不同;在多工件同步抛光中,大尺寸的工具头高速自转使工件表面有更高的线速度,磨料对单晶硅表面缺陷去除作用更强.经过5h抛光,硅片表面粗糙度Ra由0.48 μm下降到3.3 nm,获得超光滑表面.

关键词：动态磁场、集群磁流变、平面抛光、单晶硅基片、表面粗糙度

所属期刊栏目：38

分类号：TG58(金属切削加工及机床)

资助基金：广东省自然科学基金重点项目;广东省科技计划

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：89-93,97