10.13394/j.cnki.jgszz.2017.3.0009
激光晶片抛光中磨粒运动轨迹分布均匀性分析
为分析晶片抛光过程中,转动比α和摆动比β对磨粒轨迹分布均匀性的影响,建立晶片与抛光垫的相对速度模型及磨粒在晶片表面的运动轨迹模型,并分析晶片相对抛光垫的速度的分布规律、统计磨粒轨迹密度.结果表明:晶片转速与抛光垫转速一致时,其对抛光垫的相对速度大小一致;晶片随抛光头的往复运动主要影响相对速度变化的周期性及磨粒轨迹分布的随机性;当α=1.01,β=0.2时,磨粒在晶片上的轨迹分布均匀性最好.
速度分布、转动比、摆动比、轨迹密度
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TG58;TH113.2(金属切削加工及机床)
国家自然科学基金;国家重点研发计划
2017-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
40-45