10.13394/j.cnki.jgszz.2016.1.0018
硒化锌晶片抛光的研究
采用化学机械抛光(CMP)的方法,使用自主研发的氧化铝抛光液作为研磨介质,通过对硒化锌(ZnSe)晶片进行抛光实验,得出了氧化铝磨粒的粒度尺寸、抛光液的pH值、氧化剂种类及质量分数对ZnSe晶片表面状态和去除率的影响.实验结果表明:氧化铝抛光液适宜ZnSe晶片的抛光,采用质量分数l5%的氧化铝抛光液(氧化铝粒度尺寸200 nm),加入质量分数3%的次氯酸钠浸泡24 h,抛光液的pH值为8,试验结果较佳,此时去除率可达2μm/min,晶片表面平整无划痕,表面质量较理想.
硒化锌晶片、抛光、去除率
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TG58(金属切削加工及机床)
2016-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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