硅片自旋转磨削表面粗糙度建模与分析
通过对单晶硅材料不同去除机理的研究,分析了单晶硅材料磨削过程中不同去除形式所对应的磨粒去除深度.结合硅片自旋转磨削中砂轮与硅片相对运动特点,分别建立了针对硅片不同材料去除机理的表面粗糙度模型,通过实验对模型进行了对比,结果表明所建立的模型符合实验结果,并得出以下结论:采用自旋转磨削硅片时,表面粗糙度值随砂轮转速和硅片转速的增大而减小,随砂轮轴向进给速度增大而增大,且这三个工艺参数中,砂轮轴向进给速度对硅片表面粗糙度值的影响最大.
硅片、自旋转磨削、表面粗糙度
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TG74;TQ164(刀具、磨料、磨具、夹具、模具和手工具)
国家自然科学基金项目U0734008;广东省自然科学基金资助项目815009001000048
2014-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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