后处理工艺对硼掺杂金刚石电极膜/基结合性能的影响

摘要：

为改善硼掺杂金刚石(boron-doped diamond,简称BDD)涂层电极的膜/基结合性能,利用热丝气相沉积法(HFCVD法)制备了BDD涂层电极,研究了退火时间和退火温度对涂层电极上BDD膜的残余应力和膜/基结合性能的影响.采用XRD残余应力测试仪对BDD膜的残余应力进行了测试,采用压痕法对BDD涂层电极膜/基结合性能进行了检测.结果表明:(1)在测试范围内,随退火温度升高、退火时间延长,后处理效果提高；(2)在退火温度700℃、退火时间3h条件下,涂层电极上BDD膜的残余应力最大可降低45％,BDD涂层电极膜/基结合性能有所提高.

关键词：BDD涂层电极、后处理、残余应力、结合力

所属期刊栏目：33

分类号：TQ164;TG74

资助基金：国家自然科学基金51075211,51275230;教育部博士点基金项目20113218110018

在线出版日期：2013-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39