半导体型单壁碳纳米管用于近红外二区(NIR-Ⅱ)深层组织光声成像

摘要：

传统光声成像外源对比剂的光吸收主要集中在可见光区和传统近红外区(NIR,750～900 nm),开发具有更高光学组织穿透能力的近红外二区(NIR-II,1000～1700 nm)光吸收外源对比剂对活体深层组织光声成像具有重要意义.本文中,作者选取了光吸收峰在1000 nm左右的半导体型单壁碳纳米管为近红外二区光学吸收外源对比剂,测试了其在近红外二区激光激发下能够产生较强的光声效应.进一步地,作者通过将该纳米材料包埋在仿体组织的不同深度的位置,获得了仿体组织的深层光声成像,成像深度可达1.5 cm.试验结果表明,具有近红外二区光吸收能力的半导体型单壁碳纳米管在活体深层组织光声成像中有很大的应用潜力.

关键词：半导体型单壁碳纳米管、近红外二区、光声成像

所属期刊栏目：28

分类号：Q631(生物光学)

资助基金：国家自然科学基金青年基金项目61805085;2017 年度博士后创新人才支持计划项目BX201700084;中国博士后面上项目2018M630961;广东省自然科学基金博士科研启动项目2018A030310519;广东省普通高校青年创新人才项目

在线出版日期：2019-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：463-467