锗硅非对称耦合量子阱相位调制器特性的研究

摘要：

为了研究和论证锗硅材料体系在器件的工艺制备和理论性能上的优势,拓展锗硅量子阱结构的应用范围,采用数值仿真结合实际器件制备的方法,进行了理论分析和实验验证,设计了一种基于Ge/SiGe非对称耦合量子阱材料的光学相位调制器,并在实验测试中验证了该理论的正确性.结果表明,当电场超过 40 kV/cm时,该材料在 1450 nm波长处可以达到最高 0.01 的电致折射率变化;经测试发现,实际制备的器件在 1.5 V的反向偏置电压下,实现了 1530 nm波长处 2.4×10-3 的电致折射率变化,对应的VπLπ =0.048 V·cm,在同类型锗硅光调制器中达到了先进水平.该研究为硅基集成光调制器的进一步发展开辟了新的方向.

关键词：集成光学、锗硅调制器、非对称耦合量子阱、相位调制

所属期刊栏目：47

分类号：TN256;O455+.3(光电子技术、激光技术)

资助基金：湖北省重点研发计划资助项目2021BAA002

在线出版日期：2023-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：587-591