10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2021.01.018
InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器发展研究
基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究.综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状.讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线材料的界面与缺陷控制、纳米线雪崩焦平面器件制备工艺等关键技术.对发展高光子探测效率、低噪声、高增益InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器的前景进行了展望.
传感器技术、雪崩焦平面探测器、InGaAs纳米线阵列、光电二极管、探测器
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O475(半导体物理学)
四川省科技计划资助项目;国家重点研发计划资助项目
2021-01-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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