小纵横比光电器件发射端耦合工艺研究及优化
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10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2020.05.004

小纵横比光电器件发射端耦合工艺研究及优化

引用
为了系统研究影响耦合效率的因素,采用仿真和实验的方法建立了半导体激光器与单模光纤的耦合模型,并搭建自动耦合平台,进行了理论分析和实验验证,得到了模型的耦合效率与各个方向位移敏感度的关系以及实际耦合过程中耦合效率与各个方向容忍度的关系.结果表明,耦合效率对水平方向位移最为敏感,其后依次是角度旋转和纵向位移;仿真与实验最大耦合效率分别为64.29%与51.46%,误差在合理范围之内,结果具有较高可信度.这一结果对实际光电器件封装耦合效率的提高是有帮助的.

光通信、容忍度、仿真优化、耦合模型、半导体激光器、耦合效率

44

TN29(光电子技术、激光技术)

国家重点研发计划资助项目2017YFB1104801

2020-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

546-552

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激光技术

1001-3806

51-1125/TN

44

2020,44(5)

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