1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究

摘要：

为了评估实际制备中工艺偏差对此前设计的Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响,采用了基于有限时域差分法的模拟仿真,从工艺缺陷以及工艺误差两个角度,模拟了非理想工艺条件对Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响.结果表明,在目前可达到的加工精度下,如椭圆因子为0.1、锥形侧壁角度为3°、尺寸误差为5％,Si/SiO2-InP微柱腔仍能保持满足应用需求的性能,证明了设计的1.55μm量子点单光子源有很高的鲁棒性.该研究为通信波段单光子源提供了切实可行的方案.

关键词：光学器件、鲁棒性、有限时域差分法、微腔、单光子源、通信波段

所属期刊栏目：44

分类号：O439(光学)

资助基金：四川省科技厅应用基础重点资助项目2018JY0084

在线出版日期：2020-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：532-537