脉冲激光诱导石墨等离子体羽辉特性研究

摘要：

为了研究C 2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd:YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C 2和C+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲激光诱导石墨等离子体中C 2和C+的发射特性.当空气气压为10-2 Pa和3Pa时,C 2发射峰值位于靶材附近,此时C 2的形成主要为靶材的直接发射;气压增大至50Pa时,由于气相重组反应加强,等离子体前端出现另一个C 2的发射峰值,其峰值位置与C+一致,并且其逐渐占C 2发射的主导地位,此时C 2的形成主要来源于重组反应,C+发射光强要大于C 2;当气压进一步增大至130Pa时,气相重组反应增加,在等离子体前端出现C 2的发射强度增强,在1.3μs之后,C 2的发射强度大于C+.结果表明,随着气压的变化,C 2的发射峰值位置和强度发生明显变化.这一结果对碳等离子体沉积碳纳米材料原理研究是有帮助的.

关键词：激光技术、碳等离子体羽辉、增强型CCD成像、C2自由基

所属期刊栏目：42

分类号：O539(等离子体物理学)

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：796-800