905 nm InGaAs脉冲激光二极管驱动电流特性分析与测试

摘要：

为了实现高功率905nm InGaAs脉冲激光二极管激光脉冲宽度和峰值功率可调,采用现场可编辑门阵列产生触发脉冲、集成模块EL7104C作为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动、以MOSFET为核心开关器件控制高压模块和储能电容之间充放电的方法,设计了脉冲激光二极管驱动电路,对驱动电流特性进行了理论分析和实验验证,取得了不同电容和高压条件下的电流脉宽和峰值数据,分析了具体变化关系,并以此进行了光谱和功率-电流特性测试.结果表明,影响驱动电流脉宽和峰值电流的关键因素是电容大小和充电高压,脉冲激光二极管驱动电流峰值在0A~40A、脉宽20ns~100ns时可控调节,脉冲激光二极管最大峰值功率输出可达40W,实现了脉冲式半导体激光器输出功率和脉冲宽度的可控调节.该设计与分析对近红外高功率脉冲激光器的可控驱动设计具有一定的实用参考意义.

关键词：激光技术、可控调节、峰值电流、脉宽、高压、电容

所属期刊栏目：41

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：803-806