a－SiNx：H 薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究

摘要：

为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知，当热丝温度为1645℃时，H含量最大，N含量最小，同时其折射率最高，薄膜材料的有序度增大；当热丝温度为1713℃时，H含量减少，N含量达到最大，且随着热丝温度增大，薄膜中N含量又开始下降，内部缺陷态密度增加。结果表明，热丝法制备a－SiNx ：H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃～1680℃之间，此时所制备的薄膜折射率为2．0，适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层，且具有较充分的氮、氢含量，薄膜结构、性能稳定。

关键词：薄膜、SiNx:H、光致发光光谱、键合结构、热丝化学气相沉积

所属期刊栏目：40

分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51262022；内蒙古师范大学“十百千”人才工程资助项目RCPY－2－2012－K－041

在线出版日期：2016-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：413-416