10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2015.06.032
新型绝热微环谐腔型低功耗硅基调制器的设计
为了改进绝热微环谐腔型的结构、降低谐振腔腔体损耗,采用了基于绝热过渡曲线的设计方法,提出了新型载流子注入/抽取结构,进行了理论分析和实验验证,取得了绝热微环谐振腔的谐振峰线宽、消光比及频率响应参量数据,比较了其与传统微环谐振腔的损耗。结果表明,使用所设计的外半径为2μm的谐振腔的谐振峰线宽仅为普通微环谐振腔的29.5%,消光比为13.5dB,电阻电容限制带宽提高了4倍,10Gbit/s调制速率下能耗仅为5.1fJ/bit。这一结果大幅改善了绝热微环谐振腔的频率响应特性,降低了功耗。对腔形和载流子注入/抽取结构的研究可以进一步改善绝热微环谐振腔的性能,推动低能耗器件研究的发展。
光学设计、硅基调制器、绝热过渡曲线、谐振腔
TN761(基本电子电路)
江西省科技厅自然科学青年基金资助项目20122BAB211040
2015-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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