InSb光电导太赫兹源材料性质及辐射场研究

摘要：

为了研究锑化铟（ InSb）半导体材料光电导太赫兹辐射过程，用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流，以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响，用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流，比较了InSb和GaAs材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明，InSb材料载流子弛豫时间越长，载流子迁移率越大；表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比；宏观电磁场理论更适于分析表面电流；抽运激光饱和能量密度越大，太赫兹近场辐射强度越强；抽运激光脉冲宽度越短，太赫兹近场辐射强度越强；InSb光电导辐射太赫兹波功率比GaAs高。该结果为基于InSb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。

关键词：激光物理、太赫兹辐射、锑化铟光电导、载流子迁移率、表面电流、飞秒脉冲抽运

分类号：TN365(半导体技术)

在线出版日期：2015-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：488-491