Zn0．95－x Be0．05 Mnx Se稀磁半导体的光谱特性分析

摘要：

为了研究稀磁半导体Zn0．95－xBe0．05MnxSe （x分别为0．05，0．10，0．15，0．20）随温度变化的光学特性，采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术，进行了理论分析与实验验证，取得了一系列数据。结果表明，除x＝0．1的样品外，其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大，这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致；温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动，则是晶格－声子散射效应增加所致。

关键词：光谱学、光学特性、电场调制反射光谱、表面光电压光谱、激发荧光光谱、稀磁半导体、硒化锌铍锰、温度

分类号：O433.4(光学)

在线出版日期：2015-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：135-139