矩形激光脉冲辐照下半导体温度场理论研究

摘要：

为了研究矩形激光脉冲辐照下半导体材料3维光生载流子浓度和温度场分布，采用本征函数法求得了等离子体波和热波随时间和空间变化的解析解。数值模拟了矩形激光脉冲辐照下半导体内光生载流子浓度和温度的时间变化规律以及温度沿径向的扩散规律。结果表明，光生载流子表面复合速率、寿命和扩散系数等参量对等离子体波和热波分布的时域特性有重要的影响，特别是在等离子体波和热波阶跃响应的上升和下降沿阶段；此外，多参量拟合灵敏度以及相关性分析表明，对阶跃响应曲线进行拟合可实现对半导体参量的单参量及双参量表征。该理论结果对于利用阶跃光激励的光热技术测量半导体材料参量具有一定的指导作用。

关键词：激光技术、瞬态温度场、本征函数法、矩形激光脉冲、半导体材料

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11304286；11274279；浙江省教育厅科研资助项目Y201226257

在线出版日期：2014-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：469-474