10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2013.05.022
光学相干层析成像用于微机电系统测量研究
为了对硅V型槽的结构进行测量,采用热光源谱域光学相干层析成像法,进行了理论分析和实验验证,取得了硅V型槽的1维深度和2维层析图像,获得了硅V型槽的深度、上部宽度和底部宽度数据分别为145.38μm,212μm和32μm。结果表明,该测量结果与扫描电子显微镜测量值基本一致。这对微机电系统结构测量是有帮助的。
测量与计量、结构、光学相干层析成像、微机电系统
TN247(光电子技术、激光技术)
陕西省教育厅科学研究计划资助项目12JK0672;12JK0514;渭南市自然科学基础研究计划资助项目2011KYJ-3;2012KYJ-7
2013-09-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
664-667