InSb光电导太赫兹辐射理论研究

摘要：

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式.在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下,分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化.结果表明,数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致,计算结果吻合,证明了该研究方法的正确性.

关键词：激光物理、太赫兹辐射、光电导、锑化铟、俄歇弛豫

所属期刊栏目：37

分类号：O431.1(光学)

资助基金：重庆市自然科学基金资助项目CSTC2010BB2414

在线出版日期：2013-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：239-242